標準編號:	GB/T 13389-1992
中文名稱:	摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程
英文名稱:	Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局
發布日期:	1992-2-19
實施日期:	1992-10-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 13389-2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程
被替代日期:	2015-9-1
作廢日期:	2015-09-01
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	15000 字
翻譯價格(元):	1170.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了23℃時摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。本標準適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3(電阻率0.0001~10，000Ω?cm)摻硼硅單晶和1012~5×1020cm-3(電阻率0.0002~4,000Ω?cm)摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。