標準編號:	GB/T 14141-2009
中文名稱:	硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
英文名稱:	Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
中標分類:	H80    半金屬與半導體材料綜合
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	29.045 29.045    半導體材料 29.045
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國家標準化管理委員會
發布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標準狀態:	valid
替代舊標準:	GB/T 14141-1993 硅外延層,擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	10000 字
翻譯價格(元):	600.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。