標準編號:	GB/T 14146-2009
中文名稱:	硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
英文名稱:	Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
中標分類:	H80    半金屬與半導體材料綜合
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	29.045 29.045    半導體材料 29.045
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國家標準化管理委員會
發布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 14146-2021 硅外延層載流子濃度的測試 電容-電壓法
被替代日期:	2021-12-1
替代舊標準:	GB/T 14146-1993 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容--電壓法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	10000 字
翻譯價格(元):	600.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。
本標準適用于同質的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。
本標準測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡層的深度。
本標準也可適用于硅拋光片的載流子濃度測量。