標準編號:	GB/T 14847-1993
中文名稱:	重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
英文名稱:	Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
發布機構:	國家技術監督局
發布日期:	1993-01-02
實施日期:	1994-9-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
被替代日期:	2011-10-1
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	7000 字
翻譯價格(元):	1200.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標準適用于襯底室溫電阻率小于0.02Ω?cm和外延層室溫電阻率大于0.1Ω?cm且外延層厚度大于2μm的硅外延層厚度的測量。