標(biāo)準(zhǔn)編號:	GB/T 1554-2009
中文名稱:	硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
英文名稱:	Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
中標(biāo)分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機構(gòu):	中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	valid
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB/T 1554-1995 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	20000 字
翻譯價格(元):	1920.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗硅晶體完整性的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向為<111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。