標準編號:	GB/T 24581-2009
中文名稱:	低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測試方法
英文名稱:	Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
中標分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國家標準
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機構(gòu):	中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標準狀態(tài):	superseded
被新標準替代:	GB/T 24581-2022 硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
被替代日期:	2022-10-1
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	10000 字
翻譯價格(元):	600.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標準所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。