標準編號:	GB/T 35306-2017
中文名稱:	硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
英文名稱:	Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon―Low temperature fourier transform infrared spectrometry
中標分類:	H17    半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
行業(yè)分類:	GB    國家標準
ICS分類:	77.040 77.040    金屬材料試驗 77.040
發(fā)布機構(gòu):	中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期:	2017-12-29
實施日期:	2018-7-1
標準狀態(tài):	superseded
被新標準替代:	GB/T 35306-2023 硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
被替代日期:	2024-3-1
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	11000 字
翻譯價格(元):	660.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的方法。
本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω?cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω?cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的測定。