標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	T/IAWBS 002-2017
中文名稱:	碳化硅外延片表面缺陷測試方法
行業(yè)分類:	T/    團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
發(fā)布日期:	2017-12-20
實(shí)施日期:	2017-12-31
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	valid
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	15000 字
翻譯價(jià)格(元):	900.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的無損光學(xué)測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的超過（含）2微米厚的碳化硅外延層。