標準編號:	GB/T 14863-1993
中文名稱:	用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法
英文名稱:	test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage - Capacitance of gated and ungated diodes
中標分類:	L41    半導體二極管
行業分類:	GB    國家標準
發布機構:	國家技術監督局
發布日期:	1993-1-2
實施日期:	1994-10-1
標準狀態:	abolished
被新標準替代:	GB/T 14863-2013 用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法
被替代日期:	2014-8-15
作廢日期:	2014-08-15
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	10000 字
翻譯價格(元):	600.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的原理、儀器與材料、樣品制備、測量步驟和數據處理。本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值(見附錄Ｂ)的相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層，也適用于體材料。