標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 14863-2013
中文名稱:	用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法
英文名稱:	Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
中標(biāo)分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:	2013-12-31
實(shí)施日期:	2014-8-15
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	abolished
作廢日期:	2017-12-19
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB/T 14863-1993 用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	14000 字
翻譯價(jià)格(元):	1200.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的n型或p型外延層的凈載流子濃度測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測(cè)量。