標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 1551-2009
中文名稱:	硅單晶電阻率測(cè)定方法
英文名稱:	Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
中標(biāo)分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:	2009-10-30
實(shí)施日期:	2010-6-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 1551-2021 硅單晶電阻率的測(cè)定　直排四探針法和直流兩探針法
被替代日期:	2021-12-1
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法 GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	20000 字
翻譯價(jià)格(元):	1920.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本方法規(guī)定了用直排四探針法測(cè)量硅單晶電阻率的方法。
本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。