標(biāo)準(zhǔn)編號:	GB/T 1552-1995
中文名稱:	硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
英文名稱:	Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
中標(biāo)分類:	H21    金屬物理性能試驗(yàn)方法
行業(yè)分類:	GB    國家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	77.040.30 77.040.30    金屬材料化學(xué)分析 77.040.30
發(fā)布機(jī)構(gòu):	國家技術(shù)監(jiān)督局
發(fā)布日期:	1995-04-18
實(shí)施日期:	1995-1-2
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
被替代日期:	2010-6-1
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB 1552-1979 硅單晶電阻率直流四探針測量方法 GB 5251-1985 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法 GB 6615-1986 硅片電阻率的直排四探針測試方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	16000 字
翻譯價(jià)格(元):	1360.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。